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岗位职责： 1、负责DRAM存储核心电路的架构确定、设计、仿真及可测试性设计； 2、负责模块级与全芯片级功能及性能的验证分析、调试和改进； 3、协助版图设计，完成floorplan、信号与power的布局布线设计，并检查版图设计质量； 4、完成设计验证流程，确保产品性能、功耗及可靠性指标； 5、协助测试工程师完成芯片测试、性能评估和问题分析； 6、支持完成各类型存储架构和应用的评估规划工作。 任职要求： 1、硕士及以上学历，微电子或电子工程相关专业，具备1年及以上存储相关的电路设计经验； 2、理解半导体器件物理原理及CMOS 工艺，精通数字与模拟电路理论； 3、熟悉EDA工具，如Spectre、Hspice、Virtuoso、Calibre等； 4、具备DRAM电路工作原理相关知识；具备DDR、LPDDR、3D DRAM产品设计经验者优先； 5、具备全定制混合电路设计、验证与优化经验； 6、具有良好的团队合作精神，具备快速学习能力及独立工作能力。
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