岗位职责： 1、负责NAND Flash核心存储阵列架构设计与迭代优化，适配SLC/MLC/TLC/QLC不同架构规格； 2、负责存储阵列核心电路设计与仿真优化，包含阵列读写通路、高压擦写驱动电路、译码阵列、灵敏放大器等； 3、负责阵列可靠性设计与优化，满足芯片量产可靠性指标要求； 4、配合晶圆工艺迭代，对接工艺研发团队，跟进工艺节点的阵列适配开发，输出阵列设计规格书、工艺适配报告； 5、协同数字设计、版图、验证、测试、固件团队，完成阵列模块集成、配合完成芯片流片、测试、量产迭代，定位并解决流片后的阵列性能问题； 6、梳理阵列设计技术文档，沉淀设计方法论、仿真模型、风险规避方案，参与技术路线规划，推动阵列架构模块化、可复用设计，支撑下一代NAND产品技术迭代。 任职要求： 1、本科及以上学历，微电子、集成电路相关专业，5年NAND Flash阵列/存储器芯片设计经验； 2、精通NAND Flash存储原理，熟悉NAND阵列架构、存储单元工作机制、擦写读操作原理，熟练掌握阵列电路、高压驱动、译码电路、灵敏放大器等核心模块设计； 3、熟练使用Cadence、Synopsys等主流IC设计工具，精通HSPICE/Finesim电路仿真、时序与功耗分析，具备独立完成阵列电路设计、仿真、优化的完整能力； 4、了解NAND芯片常见失效机制、可靠性原理，具备阵列可靠性优化、问题排查实战经验； 5、具备完整NAND芯片流片、测试、量产跟进经验者优先； 6、具备良好的逻辑思维、问题攻坚能力与跨团队协作能力，具备快速学习能力及独立工作能力。

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