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岗位职责： 负责3D芯片全流程工艺开发，包括光刻、刻蚀、沉积、键合、CMP等关键模块的整合与优化，解决工艺兼容性与集成难题。主要职责包括设计并验证新工艺、评估3D堆叠结构的可行性、优化关键制程参数，并协同设计团队解决早期技术瓶颈，确保产品顺利导入量产。推动新材料、新工艺从研发导入量产，确保技术指标达标并实现稳定生产。 任职要求： 1、硕士及以上学历，微电子、物理、材料、电子工程等理工科专业。需具备扎实的半导体物理与器件物理基础，熟悉集成电路制造全流程； 2、熟悉从晶圆级到芯片级的3D堆叠全流程，能主导TSV形成、晶圆减薄与键合、临时键合/解键合等关键工艺整合，具备解决3D工艺中翘曲、对准精度、界面空洞、键合界面等系统性问题的能力； 3、能独立设计TEG/Test-key，主导制定TQV方案，能将测试结果与工艺参数（如键合温度、压力、TSV刻蚀速率）进行关联分析，利用统计过程控制（SPC）工具识别工艺漂移。主导新工艺和新材料的可靠性测试（热循环、电迁移等），能根据失效分析结果指导工艺改进； 4、具备优秀的文档整理与报告撰写能力，能清晰记录实验方案、流程及结果。有良好的跨部门沟通与项目管理能力，能推动工艺研发项目按时保质完成。
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