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岗位职责： 1. 工艺开发与优化：主导PVD（物理气相沉积）工艺在HKMG（高介电常数金属栅）技术中的应用开发，包括金属栅的薄膜沉积。优化工艺参数（如温度、压力、功率等），提升薄膜均匀性、致密性及电学性能。解决薄膜缺陷（如针孔、应力不均）导致的器件可靠性问题。 2. 跨部门协作与整合：与PIE合作，确保PVD工艺与HKMG整体流程兼容。参与技术转移（如从研发到量产），制定工艺窗口控制规范。 3. 技术前瞻与标准化：跟踪行业趋势（如新型金属栅堆叠结构、低电阻接触方案），主导新技术预研及专利布局。编制工艺规范、FMEA（失效模式分析）及控制计划。 任职要求： 1. 学历与专业：材料科学、微电子、物理化学等专业硕士及以上学历，博士优先。 2. 经验要求：5年以上半导体PVD工艺开发经验，至少主导过1代HKMG技术量产导入。精通PVD设备及工艺原理（如磁控溅射、离子化金属等离子体工艺）。 3. 技术能力：熟悉HKMG集成流程（如gate-first/gate-last工艺差异）及关键挑战（如功函数调控、界面态控制）。
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