岗位职责： 1、特性测试：在资深工程师指导下，开展IGBT/SiC器件的静态与动态参数测试，协助搭建双脉冲测试平台，测量开关损耗、开关速度与杂散电感影响，整理测试数据与报告； 2、Datasheet学习：系统学习功率器件Datasheet、应用笔记与安全工作区（SOA）定义，掌握器件参数与实际应用的对应关系，输出学习笔记与应用要点总结； 3、驱动与保护评估：协助评估门极驱动方案（驱动电阻、有源钳位、短路保护）与器件匹配性，参与驱动板调试与问题定位； 4、热管理分析：协助开展器件损耗计算、结温估算与散热方案评估，学习功率循环、热阻测试方法与寿命模型基础； 5、应用验证：参与功率器件在整机（OBC/DCDC/电控）中的应用验证，协助完成器件级应力测试、边界工况验证与问题复现分析； 6、失效分析支持：协助功率器件失效件的分析与供应商技术对接，学习失效机理（键合线脱落、焊层疲劳、栅氧化层击穿等）与8D流程； 7、技术学习：跟踪SiC/GaN宽禁带器件、新型封装（如银烧结、铜Clip）等技术动态，参与应用指南与选型库的数据维护并做内部分享。 任职要求： 1、硕士及以上学历，电力电子、电气工程、自动化、微电子、电子科学与技术等相关专业，应届生或毕业3年以内； 2、具备扎实的电力电子技术与半导体器件物理基础，理解IGBT/SiC MOSFET的工作原理与开关特性；了解常用拓扑（Buck/Boost、LLC、三相逆变等）中器件的应力与选型逻辑；会用示波器、高压差分探头等仪器；具备LTspice仿真基础者优先；

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