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1.微电子、电子科学与技术、半导体等相关专业，硕博应届；精通深亚微米CMOS工艺与器件物理，掌握MOS、存储单元等器件特性。 2.掌握高速低功耗集成电路设计技术，熟悉时序、功耗、噪声、可靠性优化思路，了解SRAM/寄存器堆架构者优先。 3.熟练使用Virtuoso、Hspice、Calibre等原理图、仿真、版图验证工具；有定制电路、存储电路项目、竞赛或流片实操经验优先。 4.具备标准单元、定制运算电路、IO、存储器模块任一设计经历；掌握Skill/Tcl脚本、存储器编译器开发能力者加分。 5.具备良好团队协作能力，学习主动性强，能独立推进模块开发，勇于承接项目挑战。
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