岗位职责： 1. 参与Modeling Testkey结构设计，根据模型提取精度需求设计测试器件矩阵，协助制定版图设计规范，完成测试芯片流片前的版图检查。 2. 负责半导体器件（MOSFET/BJT/Diode/Resistor/Cap等）的电学特性测试，使用探针台及半导体参数分析仪（B1500、4200-SCS等）完成DC/AC/RF数据采集，并建立标准化测试数据库。 3. 基于硅实测数据，使用行业标准建模工具（MeQLab、BsimProPlus、MEpro等），为CMOS及特殊工艺器件（如SOI、LDMOS、BCD工艺器件）进行SPICE模型（BSIM4、HiSIM-HV、PSP等）的参数提取、优化与收敛性验证。 4. 负责模型质量保证（Model QA）工作，执行模型语法校验、批量仿真回归测试及精度比对，撰写模型版本报告及技术文档。 5. 与IC设计团队紧密协作，解决电路仿真中遇到的模型收敛性、精度异常等问题，针对放大器、振荡器、LDO等基本电路模块进行模型应用验证。 6. 开发Python/C++脚本工具，实现测试数据自动化处理、模型参数辅助拟合及QA报告生成，持续提升建模流程的自动化水平。任职条件： 1. 硬性门槛：应届毕业生，硕士及以上学历（优秀本科生可放宽），微电子、集成电路、物理、材料、电子工程等相关专业；半导体物理与器件物理理论基础扎实，深入理解MOSFET及双极型晶体管工作原理及短沟道效应。 2. 硬技能：熟悉HSPICE/Spectre/NGSPICE等仿真器及基本电路网表语法；了解BSIM4/BSIM-CMG/HiSIM-HV/PSP等标准模型架构；具备编程/脚本能力（Python/MATLAB/C++至少其一），能用于数据处理和流程自动化；英语CET-6及以上，能流畅阅读IEEE器件文献及Foundry技术手册；有探针台/参数分析仪操作经验或流片经历者优先。 3. 软素质：对数据高度敏感，具备严谨的逻辑思维和科学方法论习惯，善于从曲线偏差中定位物理机制根源；具备良好的沟通协调能力，能与设计、工艺、测试团队高效协作；自驱力强，具备较强的学习能力和适应能力，愿意在精细化建模方向长期深耕。

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