岗位职责： 一、器件设计与协同开发 1. 负责工艺平台上的器件结构设计，特别是BCD工艺中针对高压LDMOS、BJT、JFET、Zener二极管及精密无源器件（Poly电阻、MIM电容）等。利用TCAD（如Sentaurus）进行器件物理仿真，优化掺杂分布、阱结构及隔离结构（如DTI/STI），以满足产品目标需要器件性能 2.深度参与新工艺开发，评估并验证所开发器件结构，确保器件设计方案在既定工艺窗口内具备高可靠性、可制造性和高良率潜力二、器件特性测试与表征 1.制定并执行全面的器件测试方案（DC/AC/SOA），主导对器件的电学特性、热特性、低频噪声（1/f噪声）及mismatch性能的深入研究与分析 2. 基于测试数据和统计分析，构建与优化器件性能与TCAD仿真之间的关联模型，反馈并迭代优化器件设计，拓宽工艺窗口。 3.编写详细的器件测试报告与性能分析报告，为内部工艺整合和外部客户应用提供数据支撑三、前瞻性可靠性评估与预测 1. 负责器件的前瞻性可靠性评估，重点研究HCI（热载流子注入）、NBTI（负偏压温度不稳定性）、TDDB（经时击穿）等可靠性机理。针对BCD工艺中特有的高压器件进行可靠性预测、评价、改进，确保器件可靠性满足要求 2.结合工艺与设计规则，制定并优化器件的可靠性设计窗口四、技术洞察与知识传递 1.建立并维护完善的器件特性技术文档体系，包括器件电特性设计规则、器件使用注意事项等，确保产品设计端用好器件 2.在团队内部开展技术分享与培训，促进跨部门（设计、工艺、测试）的高效协作任职条件：一、基本要求硕士及以上学历，半导体物理、微电子学、物理、电子工程等相关专业二、专业技能 1.熟悉半导体物理/器件物理 2.掌握半导体器件设计工具与仿真工具 3.熟悉半导体制造技术

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